用氦3冷卻量子電路可大幅降噪

典型的超導量子電路，必須在極低溫度下運行。但極低溫度會使大多數(shù)液體都會變成冰，只有兩種氦同位素3He和4He在毫開爾文溫度下仍保持液態(tài)。

　　來自英國國家物理實驗室（NPL）、瑞典查爾姆斯理工大學等的科研人員開發(fā)了新技術，通過將量子電路浸入3He液體中，可將量子電路冷卻到絕對零度以上千分之一，比以前實現(xiàn)的溫度低近100倍。相關研究發(fā)表在《自然通訊》上。

科研人員觀察到3He與量子電路材料中的原子級缺陷耦合非常強烈，并且與不存在3He相比，從這些缺陷中帶走多余能量的速度要快1000倍以上，且3He不會直接干擾電路本身。與外推的理論預測相比，使用3He浸泡在最低溫度下實驗中的噪聲也降低了1000倍以上。研究表明，這種機制經(jīng)優(yōu)化后，或可顯著提高量子電路的相干性。特別是，它可能能夠從根本上改變嘈雜環(huán)境的行為，使其安靜并進一步提高電路的一致性。